IBM представи миналата седмица, че е изградила способността да дава на чипове 2nm транзистори. Сегашната ситуация с изобразителното изкуство обикновено е около 5nm или 7nm, така че това е невероятен скок, въпреки факта, че оценяването на размерите между напълно различни производители не е винаги правилно.
По-привличащо вниманието от техния размер е, че тези чипове вероятно ще бъдат разработени с предполагаем план за „нанолист“. Повечето шикозни транзистори са фундаментално базирани на „FinFET“, мястото, където токовият ток вътре в полупроводника се разширява директно нагоре в баланс. Nanosheet или „gate-all-around“ транзистори превръщат този баланс директно в купчина от специфични отделни ленти и планът трябва да може да подобри енергийната ефективност и да позволи на дизайните допълнително да променят по същество {електрическите} свойства на напълно различни части на чипа . FinFET е типичен от 2011 г., така че показването на нов полупроводников модел от пластмаса е разумно огромно устройство в света на полупроводниците.
В значителен скок напред, IBM съобщи за първия по рода си 2nm чип, зависим от иновациите на нанолистове. Организацията заяви, че този чип ще помогне за развитието на бизнеса с полупроводници и ще вземе предвид интереса към развиващия се чип. 2nm процесорите могат да удвоят живота на батерията на PDA устройствата. При нормална употреба батерията на телефона може да издържи до четири дни. Чипът предлага 45% по-добър и използва 75% по-ниска енергия от сегашните най-изключителни 7nm възли чипове.
Миксът сила/изпълнение ускорява развоя на събитията и пренасянето на предни интелектуални, крайни и други изчислителни етапи, предавани чрез кросоувър облачни условия и педали за криптиране на газ, работещи за работа с квантови компютри. 2nm нанотехнологията може да задължи до 50 милиарда транзистора на чип с размер на нокътя. Повече транзистори на чип ще дадат възможност на инициаторите да разработват за водещи отговорности като AI, облачни изчисления, хардуерно наложена сигурност и криптиране.
Новият принос на IBM все още е на етап проверка на идеята и може да мине известно време, преди да стане комерсиално достъпен. В момента организациите противници на IBM Samsung и TSMC доставят 5nm чипове в своите леярни. TSMC е декларирал преди това, че ще започне да доставя 4nm чипове преди края на 2021 г. и ще произвежда 3nm чипове непрекъснато 50% от 2022 г. 7nm чиповете на Intel все още са в процес на разработка.
Как IBM го измисли?
Терминът nanosheet е създаден за първи път в лабораториите на IBM през 2012 г., когато групата от специалисти се занимава с друго инженерство на джаджи. Целта беше да се създаде подходяща опция за основната структура на нанопроводници. Втората Eureka на IBM придружава инженерството на нанолистове, което предлага електростатичните предимства на нанопровода наред с дебелината, необходима за по-добро изпълнение.
С тази комбинация от акценти, нанопластовете завладяха FinFET, преобладаваща полупроводникова структура в този момент. Във всеки случай бизнесът бързо преминаваше отвъд плана FinFET. Проектантите се опитаха да опаковат повече транзистори, но това доведе до разливане на полупроводници.
Иновацията FinFET получава името си от конструкцията на FET и наподобява куп остриета. При тази конструкция електроните преминават през изящни вертикални остриета, а не равна повърхност, за да преминат през транзисторите. След това отново нанолистовете подреждат транзистори един върху друг, за да оформят слоести дизайни. Основният 2nm полупроводник е новата джаджа с многопрагово напрежение (Multi-Vt) с нива на разливане, преминаващи размери от три порядка. Това позволява на производителите да изберат превъзходна степен на изпълнение.